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40G 高速铟镓砷(InGaAs)光电探测器

40G 高速铟镓砷(InGaAs)光电探测器

HSPD4040 型高速探测器模块适用于数字与模拟两种应用场景,模块内置一款铟镓砷 PIN 光电二极管(InGaAs PIN Photodiode),其响应波长范围为 1250-1650nm,并配备必要的匹配电子元件。

HSPD4040 模块的最大带宽可达 40GHz,工作电压为 +5V,兼容标准单模 9/125μm 光纤输入,射频输出端口采用 2.92mm 连接器,阻抗匹配为 50 欧姆。该模块采用密封外壳设计,重量不足 20 克,且符合《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》2.0 版(FOHS 2.0)标准。

40G 高速铟镓砷(InGaAs)光电探测器

产品特点

  • 带宽范围宽
  • 集成偏置器(Bias-T)
  • 直流耦合(DC Coupled)
  • 密封外壳设计,配备 2.92 型连接器

适用领域

  • 高速光纤通信
  • 雷达信息处理
  • 电子战
  • 高速信号测试与测量
  • 微波光子学

产品选型

典型值与绝对最大额定值

参数

符号

典型值

额定值

单位

储存温度范围

TSTG

-45 ~ +85

-55 ~ +85

工作壳温范围

TC

25

-40 ~ +85

偏置电压

VR

5

5 ~ 6

V

光输入功率

Pin

+3

+10

mW

烧毁光功率

PB

+15

mW

引线焊接温度

Tp

280(10s)

330(10s)

光电器性能参数

参数

符号

最小值

典型值

最大值

单位

备注

响应光谱

λ

1000 1650

nm

小信号带宽(-3dB)

-3dB

35 40

GHz

最大光输入功率

Pm

13

mW

参考备注2,3

响应度

R 0.75 0.85

A/W

参考备注1

幅度平坦度

A

±2

dB

光电二极管偏置电压

Vpd

5 6

V

参考备注3

输出电压驻波比

VSWR

2.5 3

饱和射频输出功率

Pout

-10

dBm

暗电流

Id

1 40

nA

输出阻抗

FL

50

Ω

备注:

1. 测试条件为波长 λ=1310nm、1550nm;

2. 测试条件为温度 25°C、正常偏置;

3. 若器件工作参数超出绝对最大额定值,可能会影响器件可靠性,甚至导致永久性损坏。

典型响应曲线

图 1:40G 光电探测器频率响应曲线

尺寸与引脚(单位:mm)

订货信息

产品型号

备注

HSPD4040

40GHz 光电探测器接收器,配备单模 FC/APC 光纤连接器


注意事项

为避免光纤损坏,光纤弯曲半径不得小于 20mm;

将光纤连接至光电路前,务必确保光纤耦合端面清洁;

器件在储存、运输及使用过程中,需采取适当的静电放电(ESD)防护措施。

工作温度:商业级/工业级/军品级可选


本产品为 北亿纤通 | F-tone Networks FT-81系列产品线,详细信息,请联系我们的销售人员,谢谢!Important Notice Performance figures, data and any illustrative material provided in this data sheet are typical and must be specifically confirmed in writing by Andxe System before they become applicable to any particular order or contract. In accordance with the Andxe System policy of continuous improvement specifications may change without notice.The publication of information in this data sheet does not imply freedom from patent or other protective rights of Andxe System or others. Further details are available from any Andxe System sales representative.

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